在半導體芯片、MEMS、氣敏元器件、LED 與新型光電材料的研發與質檢中，真空、高低溫、高精度接觸是決定測試數據可信的三大核心條件。普通探針臺無法隔絕空氣干擾、不能模擬
特殊溫度，導致數據漂移、樣品氧化、漏電偏大，嚴重影響研發結論與出貨品質。江麥智能 VS21 真空探針臺，以高真空 + 超寬溫域 + 精密三軸定位 + 顯微觀測一體化設計，為微納器件與新材料提供穩定可控的
特殊環境測試平臺，成為高校實驗室、研究院所與半導體企業的標配測試裝備。
一、產品核心定位與應用場景
VS21 是一款高低溫真空型探針測試平臺，主要用于芯片、氣敏元器件、薄膜材料、光電 / 光伏器件在真空或可控氣氛下的電學性能測試，也可開展材料物性分析。典型應用覆蓋：
半導體晶圓 / 芯片電學參數測試（IV、CV、電阻率等）
氣敏傳感器靈敏度、響應特性測試
LED、LCD、太陽能電池光電性能與可靠性測試
新型材料、二維材料、超導材料低溫 / 高溫物性研究
集成電路、功率器件高低溫老化與可靠性驗證
可滿足物理研究、材料分析、器件研發、產線質檢全流程需求，是微納電子與先進材料領域的關鍵測試設備。
二、四大核心優勢，重塑高精度測試標準
1. 超寬溫域 + 精準控溫，特殊環境穩定模擬
VS21 采用液氮制冷 + 電阻加熱復合控溫，溫控范圍83K–623K，可快速覆蓋低溫、室溫至高溫全區間。搭載 PT100 鉑電阻與高精度 PID 算法，控溫精度達 ±0.25℃，分辨率 0.1℃，升溫速率最高 20℃/min，常溫降至 80K≤30 分鐘，溫度均勻性優異，真實模擬器件
特殊工況表現。
2. 高真空腔體，杜絕氧化與漏電干擾
腔體采用化學鍍鎳鋁雙腔體結構，密封可靠、真空表現優異。搭配 Leybold 90L/s 分子泵機組，極限真空可達6×10??mbar（6×10??Pa），可有效避免：
低溫下水汽結露導致漏電偏大、接觸不良
高溫下氧氣氧化樣品，造成電性偏差與結構形變
空氣介電損耗與電磁干擾，保障微弱信號測試穩定。
3. XYZ 三軸精密定位，探針接觸零損傷
探針臂采用自鎖絲杠 + 交叉滾子導軌結構，定位精度 10μm，探針漂移優于 ±60nm/30mins，X/Y/Z 行程分別為 25mm/25mm/18mm，可精準對準微納電極。探針自帶彈簧緩沖結構，有效防止劃傷芯片與樣品表面；搭配三軸高屏蔽線纜，漏電測試精度可達100fA，滿足極低電流高精度測試需求。
4. 光學顯微清晰觀測，操作直觀便捷
配備可調式顯微觀測機構，放大倍率0.75–5.25X，可自由調節視角與高度，清晰觀測探針接觸狀態與樣品表面細節。整機結構緊湊、體積小巧、擺放靈活，可與各類電學測試儀器無縫集成，支持快速裝樣、快速抽真空、快速變溫，大幅提升實驗效率。
三、關鍵技術參數一覽
樣品臺：2 英寸不銹鋼，平整度 5μm
溫控范圍：83K–623K（液氮制冷）
控溫精度：±0.25℃，分辨率 0.1℃
真空度：6×10??mbar（配分子泵組）
三軸行程：X/Y=25mm，Z=18mm
探針定位精度：10μm
腔體材質：化學鍍鎳鋁雙腔體
整機尺寸：620×400×260mm（帶顯微鏡）
供電：220V AC 50Hz
四、為什么科研與企業都選擇 VS21？
環境真實可控：真空 + 高低溫協同控制，貼近器件實際工況，數據更可信。
測試精度更高：低漏電、低漂移、高重復性，滿足科研與出廠質控要求。
穩定耐用易維護：優質密封與管路設計，漏率低、壽命長、日常維護簡單。
模塊化可擴展：支持探針夾具、真空系統、溫控模塊選配，適配多場景升級。
國產高性價比：對標進口設備性能，交付更快、售后更及時、綜合成本更低。
五、適用用戶群體
結語
真空、溫度、精度，是微納器件測試的 “生命線"。江麥智能 VS21 真空探針臺以高真空、寬溫域、精定位、低漏電、易操作，為半導體、新材料、傳感器、光電領域提供一站式可靠測試解決方案，助力研發突破與品質升級。無論是基礎科研探索，還是工業化產線質檢，VS21 都能以穩定表現輸出可信數據，成為科研測試的理想選擇。
更新時間：2026-06-02
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